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開關(guān)三極管能替代中間繼電器么？
我們看圖1：
圖1中，我們看到了三極管T，因為控制對象是24V電壓下的燈HL，其電流達(dá)到208毫安，普通中小功率的三極管當(dāng)然不能直接控制，必須借助于繼電器去控制。設(shè)繼電器的吸合電流是10毫安，吸合電壓是12V，再設(shè)三極管的共射放大倍數(shù)為30倍。注意到晶體管飽和后，Uce=0.3V，Ube=0.7V。
如此一來，我們就可以很輕松地控制HL燈的點(diǎn)燃與熄滅了。由圖1我們看到，繼電器的特點(diǎn)是可以分合控制較大電流和較高電壓的負(fù)載；同時，繼電器的多組觸點(diǎn)還可以用來控制其它電路。我們先來建立一個概念，叫做轉(zhuǎn)換深度h：斷開電阻，接通電阻
斷開電阻，RJT接通電阻h斷開電阻，接通電阻h斷開電阻，接通電阻對于有觸點(diǎn)的繼電器來說，而對于無觸點(diǎn)的三極管和晶閘管和其它元器件來說， 。我們看到兩者相差十分懸殊。
轉(zhuǎn)換深度h越高，元器件在關(guān)斷狀態(tài)下的絕緣電阻也就越高，而在接通狀態(tài)下元器件的發(fā)熱就越低。所以晶體管相對繼電器來說，它不能承受較高的工作電壓，而繼電器比晶體管要高得多；同時，當(dāng)晶體管導(dǎo)通后，它的發(fā)射極與集電極之間存在0.3V的壓降，因此晶體管在大電流流過時發(fā)熱嚴(yán)重。繼電器觸頭的帶載能力比晶體管要大得多。我們再看第二個概念，叫做功率控制比Kp，它是受控負(fù)載的最大功率與信號最大功率之比。對于晶體管，Kp就等于電流放大倍數(shù)；對于繼電器，Kp等于繼電器觸點(diǎn)最大控制電流與繼電器線圈吸合電流之比。在圖1中，晶體管的電流放大倍數(shù)為30
所以圖1中的繼電器，按常規(guī)它的觸點(diǎn)在12V電壓下的接通電流為2A，于是：可見繼電器的功率控制比大于晶體管的功率控制比。許多晶體管的放大倍數(shù)可以達(dá)到100以上，甚至可以超過200。
但對于晶體管開關(guān)電路來說，穩(wěn)定工作是第一位的，所以晶體管開關(guān)電路中的晶體管放大倍數(shù)一般取值為30到50，不建議超過50。繼電器由于有觸點(diǎn)，則在高原條件下，電弧不容易熄滅。所以在高原條件下，一般要用相同觸點(diǎn)串聯(lián)使用，以加長電弧長度，使之更容易熄滅。晶體管（晶閘管）中，則完全沒有電弧，這是它的最大優(yōu)勢。也因此，在許多防爆要求高的場合，無觸點(diǎn)電器會用得更多。
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